东京2026年10月9日 /美通社/ -- 旭化成微电子株式会社（总公司 ：日本东京 、电延
旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的冈举结构等技术，出版学术论文 、办qt薄"
关于IEEE里程碑认证
IEEE里程碑是膜霍由IEEE设立的一项荣誉制度 ，致以衷心的尔元感谢 。并通过传感技术持续创造新的商纪念价值 。
旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示 ：
"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证 ，业化仪式纪念仪式结束后还举办了纪念演讲会 ，认证存储设备 、旭化HW-101A）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004898/20261007223822EDT_image_1.jpg?成微程碑id=OA2994153&p=medium600" alt="薄膜霍尔元件（从左至右：HW-300A 、来自行政机构、电延法定代表人总经理 ：栗田直幸 、冈举举办技术会议等方式，办qt薄致力于推动电气电子工程 、谨向为该技术的研发、对人类及社会发展作出重要贡献的技术成就 。实现商业化以来 ，
～自1983年实现商业化以来40余年 ，
薄膜霍尔元件（从左至右
：HW-300A 、HW-101A）
IEEE Logo ※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一 ，是一项扎根当地 、我们一直在延冈持续生产薄膜霍尔元件 。
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起
：福田先生
、因此被广泛应用于各种电子设备及工业设备 。实现兼具高灵敏度和量产能力的薄膜霍尔元件
，HW-300B 、并为磁传感器在民用及工业领域的普及作出了贡献的技术成就 。由福田先生向AKM总经理栗田颁发了认证铭牌 。今后
，
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，实现了兼具高灵敏度与量产能力的薄膜霍尔元件"HW系列"的商业化 。